在半導體制造過程中，光刻膠的去除是關鍵步驟之一。等離子去膠技術因其高效、環保和精確性被廣泛應用于這一過程。然而為了進一步提升生產效率和產品質量，優化半導體等離子去膠機的去膠效率顯得尤為重要。1、優化工藝參數等離子去膠的效率與多種工藝參數密切相關，包括射頻功率、反應室壓力、氣體流量和類型、處理時間等。通過實驗優化這些參數，可以找到適合特定光刻膠材料的去膠條件。例如：（1）射頻功率：適當增加射頻功率可以提高等離子體密度，從而增強去膠效果。但過高的功率可能導致材料損傷或過度刻蝕。（...